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Linear Ion Source​

선형이온건 (Linear Ion Source)

선형이온건
(Linear Ion Source)

  • J&L TECH의 LIS 시스템은 closed-drift 혹은 anode-layer Ion beam source의 형식으로서 넓은 면적에 균일한 이온빔을 조사할 수 있습니다. 또한 비교적 높은 에너지(50~1,500eV)를 얻을 수 있으며 대부분의 불활성 가스 및 일부 활성가스 등에서 용이하게 이온빔을 발생시킬 수 있는 장점을 가지고 있습니다.
  • LIS 시스템은 플라즈마 코팅 공정 중 세정(Cleaning), 증착(Deposition), 그리고 이온보조증착(Ion Beam Assisted Deposition) 등에 폭넓게 이용됩니다.
Linear Ion Source의 특징 및 사양

Linear Ion Source의
특징 및 사양

  • 코팅막 증착 시 안정적인 이온 에너지 제공
  • 대면적의 코팅막 증착에도 양질의 코팅막 형성
  • 낮은 유지비
  • 상대재에 대한 높은 접합력
  • Ar, O2, N2 가스 등을 이용한 Cleaning
증착률 300nm/min
잔류 응력 ~ 2.0GPa
경도 ~ 28GPa
마찰 계수 ~ 0.1
Linear Ion Source
LIS350 LIS650 LIS800 LIS1000 LIS1200
크기(mm) W102 × H380 W102 × H680 W102 × H840 W102 × H1044 W102 × H1244
자석 종류 영구 자석
코팅 유효 영역 340mm 656mm 790mm 990mm 1190mm
코팅 균일도 ± 3%
방전 전압 500 ~ 3000V
작동 압력 0.7 ~ 3mTorr
가스 종류 Ar, N2, O2, C2H2, CH4, etc