HOME / コーティングシステム / CARBOZEN™

CARBOZEN™

様々なプラズマソースを組み合わせたハイブリッドコーティングシステム

当社はFCVA(Filtered Cathodic Vacuum Arc)、LIS(Liner Ion Source)、UBM (Unbalanced Magnetron Sputter) SputterなどのPVDプラズマソースからPECVD(Plasma Enhanced CVD)まで主要なプラズマ技術をすべて内在化しています。
CARBOZENTMは、お客様の要望に合わせてプラズマソースの組み合わせを最適化して製作されます。

当社はFCVA(Filtered Cathodic Vacuum Arc)、LIS(Liner Ion Source)、UBM (Unbalanced Magnetron Sputter) SputterなどのPVDプラズマソースからPECVD(Plasma Enhanced CVD)まで主要なプラズマ技術をすべて内在化しています。
CARBOZENTMは、お客様の要望に合わせてプラズマソースの組み合わせを最適化して製作されます。

システム仕様

プラズマソース	FCVA (Filtered Cathodic Vacuum Arc) LIS (Linear Ion Source) UBM Sputter (Unbalanced Magnetron Sputter) PECVD (Plasma Enhanced CVD)
チャンバーサイズ	Ø600×H600, Ø700×H900, Ø800×H1000, Ø1000×H1000, Ø1000×H1200, Custom-made
治具システム	2 fold or 3 fold
作動ガス	Mass flow control system Ar · O₂ · C₂H₂ · CH₄ · C₆H₆ · etc
初期真空度	~10^-6Torr
バイアス電源	Pulsed DC
ヒーター	Max 250℃ [Optional 450℃]
プロセス	全自動 / 半自動

Linear Ion Sourceの長所

コーティング膜の蒸着時に安定したイオンエネルギーを維持
大面積製品に対する均一なコーティング膜の形成
低い維持費
相対材に対する高い密着力
Ar, O₂, N₂ ガス等を用いたクリーニング

蒸着率	300nm/min
残留応力	~ 2.0GPa
硬度	~ 28GPa
摩擦係数	~ 0.1

	LIS350	LIS650	LIS800	LIS1000	LIS1200
サイズ(mm)	W102 × H380	W102 × H680	W102 × H840	W102 × H1044	W102 × H1244
磁石種類	永久磁石
成膜有効ゾーン	340mm	656mm	790mm	990mm	1190mm
成膜均一度	± 3%
放電電圧	500 ~ 3000V
作動圧力	0.7 ~ 3mTorr
ガス種類	Ar, N₂, O₂, C₂H₂, CH₄, etc

UBM Sputterの長所

合金、化合物、絶縁膜の蒸着が可能
様々な反応性スパッタリングが可能
蒸着膜の厚さの均一性
広い面積のターゲット利用が可能
低温工程が可能
金属窒化物及び酸化物系のカラーコーティングの成膜が容易

	UBM350	UBM650	UBM850	UBM1050	UBM1200
サイズ (mm)	W100 × H350	W100 × H680	W120 × H850	W120 × H1050	W120 × H1200
磁石種類	永久磁石
成膜均一度	± 3%
作動圧力	< 30mTorr

FCVA Sourceの長所

Dual bent ductのフィルタリングによるドロップレットの除去
Beam-rasteringによる大面積コーティング
プラズマビームの安定性を高めた革新的な電極デザイン
相対材に対する高い密着力
高い再現性と容易なメンテナンス

FCVA Sourceの仕様

		Single Bent	Double Ben
陰極	ターゲット材質	Graphite
	サイズ	ø75 x 25(L) nm
ダクト	サイズ	I.D.ø144mm, O.D.ø165.2mm
	角度	45°
	濾過方式	Single	Double
	磁石	Source magnet (SM), Bending magnet (BM), Output magnet(OM), Raster magnet(RM)	Source magnet (SM), Bending magnet (BM), Emission magnet(EM), Output magnet (OM), Raster magnet(RM)