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CARBOZEN™
様々なプラズマソースを組み合わせたハイブリッドコーティングシステム
当社はFCVA(Filtered Cathodic Vacuum Arc)、LIS(Liner Ion Source)、UBM (Unbalanced Magnetron Sputter) SputterなどのPVDプラズマソースからPECVD(Plasma Enhanced CVD)まで主要なプラズマ技術をすべて内在化しています。
CARBOZENTMは、お客様の要望に合わせてプラズマソースの組み合わせを最適化して製作されます。
当社はFCVA(Filtered Cathodic Vacuum Arc)、LIS(Liner Ion Source)、UBM (Unbalanced Magnetron Sputter) SputterなどのPVDプラズマソースからPECVD(Plasma Enhanced CVD)まで主要なプラズマ技術をすべて内在化しています。
CARBOZENTMは、お客様の要望に合わせてプラズマソースの組み合わせを最適化して製作されます。
システム仕様
| プラズマソース | FCVA (Filtered Cathodic Vacuum Arc) LIS (Linear Ion Source) UBM Sputter (Unbalanced Magnetron Sputter) PECVD (Plasma Enhanced CVD) |
| チャンバーサイズ | Ø600×H600, Ø700×H900, Ø800×H1000, Ø1000×H1000, Ø1000×H1200, Custom-made |
| 治具システム | 2 fold or 3 fold |
| 作動ガス | Mass flow control system Ar · O2 · C2H2 · CH4 · C6H6 · etc |
| 初期真空度 | ~10-6Torr |
| バイアス電源 | Pulsed DC |
| ヒーター | Max 250℃ [Optional 450℃] |
| プロセス | 全自動 / 半自動 |
Linear Ion Sourceの長所
- コーティング膜の蒸着時に安定したイオンエネルギーを維持
- 大面積製品に対する均一なコーティング膜の形成
- 低い維持費
- 相対材に対する高い密着力
- Ar, O2, N2 ガス等を用いたクリーニング
| 蒸着率 | 300nm/min |
| 残留応力 | ~ 2.0GPa |
| 硬度 | ~ 28GPa |
| 摩擦係数 | ~ 0.1 |
| LIS350 | LIS650 | LIS800 | LIS1000 | LIS1200 | |
| サイズ(mm) | W102 × H380 | W102 × H680 | W102 × H840 | W102 × H1044 | W102 × H1244 |
| 磁石種類 | 永久磁石 | ||||
| 成膜有効ゾーン | 340mm | 656mm | 790mm | 990mm | 1190mm |
| 成膜均一度 | ± 3% | ||||
| 放電電圧 | 500 ~ 3000V | ||||
| 作動圧力 | 0.7 ~ 3mTorr | ||||
| ガス種類 | Ar, N2, O2, C2H2, CH4, etc | ||||
FCVA Sourceの長所
- Dual bent ductのフィルタリングによるドロップレットの除去
- Beam-rasteringによる大面積コーティング
- プラズマビームの安定性を高めた革新的な電極デザイン
- 相対材に対する高い密着力
- 高い再現性と容易なメンテナンス
FCVA Sourceの仕様
| Single Bent | Double Ben | ||
| 陰極 | ターゲット材質 | Graphite | |
| サイズ | ø75 x 25(L) nm | ||
| ダクト | サイズ | I.D.ø144mm, O.D.ø165.2mm | |
| 角度 | 45° | ||
| 濾過方式 | Single | Double | |
| 磁石 | Source magnet (SM), Bending magnet (BM), Output magnet(OM), Raster magnet(RM) |
Source magnet (SM), Bending magnet (BM), Emission magnet(EM), Output magnet (OM), Raster magnet(RM) |
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